Table Of Content1 Einleitung - Introduction
1.1 Definition und Bezeichnung - Definition and notation
Epitaxie bezeichnet jede strukturabhangige Any structure-dependent intergrowth (over-
Verwachsung (Aufwachsung, Fortwachsung) zweier growth) of two chemically and/or structurally
chemisch und/oder strukturell verschiedener kri- different crystalline or subcrystalline phases is
stalliner oder subkristalliner Phasen. Als chemisch called epitaxy. Doping, stacking faults or order-
oder strukturell verschieden gelten such Dotie- disorder phenomena are treated as chemical or
rungs- und Fehlordnungsunterschiede. Auch eine structural differences. For example, an oriented
orientierte Aufwachsung von z. B. Ge (dotiert) auf overgrowth of doped Ge on a host crystal of pure
Ge (rein) gilt also als Epitaxie. Ge is also considered as an epitaxial phenomenon.
Ein epitaktisches System besteht somit grund- Any epitaxial system consists therefore of two
satzlich aus einem vorgegebenen Wirtkristall (Sub- partners : the host crystal (substrate) and the guest
strat) und einer auf ihm aufgewachsenen Gast- phase (deposit).
phase.
Die nach Chemismus, Valenz und Struktur in- The inhomogenous transition layer between
homogene Ubergangsschicht zwischen den epitak- epitaxial partners is the “interface”. The inhomo-
tischen Partnern wird als ,,Kontaktzone” be- genity may be caused by chemical properties, va-
zeichnet. lence states or structural properties.
Differenzierende Bezeichnungen, wie Topotaxie, Differentiating designations, such as topotaxy,
Endotaxie, Heterotaxie oder Autotaxie, werden endotaxy, heterotaxy or autotaxy, are not used
hier nicht benutzt. here.
Da Epitaxie orientierte Keimbildung und orien- Since epitaxy involves oriented nucleation and
t.iertes Wachstum einer Gastsubstanz auf einer overgrowth of a deposited layer on a crystalline
kristallinen Wirtflache (Tragerflache) bedeutet, ist substrate surface, the knowledge of theory and
die Kenntnis der Gesetze und Methoden der Keim- techniques of nucleation and ‘crystal growth is a
bildung und des Kristallwachstums fiir Verstandnis prerequisite for understanding and generating
und Erzeugung epitaktischer Systeme unabding- epitaxial intergrowth. See e.g. [I] . *. [7].
bar. Siehe z. B. [I] .+.[ fl.
1.2 Allgemeine Bemerkungen - General remarks
Epitaxie ist eine sehr haufige Erscheinung, wo- Epitaxy is a very common phenomenon involv-
bei die Gastphase aus Lijsungen oder Schmelzen, ing the growth of a deposit from solution, a melt,
aus der Gas- oder Dampfphase oder elektrolytisch gas or vapor phase or by electrolysis [S] ; [9].
gebildet sein kann [8], [9].
Beispiele fiir epitaktische Systeme : Examples for epitaxial systems :
viele Systeme in der modernen Diinnschichtphysik, many systems in contemporary thin layer physics,
z. B. Cu,O auf Cu; Ge auf oc-Al,O,; e.g. Cu,O on Cu; Ge on a-Al,O,;
Korrosionsfilme auf Metallen, z. B. Fe0 auf Fe; corrosion films on metals, e.g. Fe0 on Fe; Al,O, on
Al,O, auf Al und andere Reaktionsfilme auf kristal- Al and other reaction films on crystalline surfaces;
linen Oberflslchen;
Schutzschichten auf kristallinen Festkorpern, z. B. protective coatings on crystalline solids, e.g.
Zn,(PO,), . 4 H,O auf Fe; AlOOH auf Al; Zn,(PO,),. 4 H,O on Fe; AlOOH on Al;
biologische Systeme, z. B. Apatit-Kollagen-Ver- biologic systems, e.g. apatite-collagen-overgrowths.
wachsungen.
Bis in die zwanziger Jahre war die Epitaxie Until the twenties, epitaxy was only a descrip-
nur ein beschreibender Forschungszweig der Mine- tive branch of mineralogy, but with the develop-
ralogie. Erst mit der Entwicklung der RBntgen- ment of X-ray methods and the possibility for
methoden und der damit gegebenen Mdglichkeit, determining structures of the epitaxial partners,
Gebhardt /Neuhaus
Landolt-BBmstein, New Serie III/S 1
2 I Einleitung
die Strukturen der Venvachsungspartner zu be- epitaxy has become more interesting. Today, epi-
stimmcn, fand sic mehr Interesse. Heute bildet die taxy research is an important basis for investi-
Epitaxie-Forschung eine wichtige Grundlage fiir die gations in many chemical, physical and technical
Untersuchung vieler chemischer, physikalischer problems.
und technischer Probleme.
Zur Zeit sind bereits Arbeiten iiber mehrere At present thousands of epitaxial systems are
Tausend Epitaxien veroffentlicht worden, leider known in literature, though unfortunately many
vielfach ohne selbst die dtirftigsten Orientierungs- of them with rather poor information on orien-
angaben. Es schien daher notwendig, das weit ver- tation Therefore it seemed necessary to collect,
streute Material zu sammeln, zu sichten und tabel- evaluate and compile the scattered experimental
larisch aufzunehmen. data.
1.3 Anordnung - Arrangement
Die Tabclle ist in vier Teile gegliedert: The table consists of four parts:
anorganisch-anorganische Epitaxien, Kapitel 2, inorganic-inorganic epitaxies, chapter 2,
anorganisch-organische Epitaxien, Kapitel 3, inorganic-organic epitaxies, chapter 3,
organisch-anorganische Epitaxien, Kapitel 4, organic-inorganic epitaxies, chapter 4,
organisch-organische Epitaxien, Kapitel 5. organic-organic epitaxies, chapter 5.
In jedem Teil sind die Epitaxien nach den Wirt- In each part the epitaxies are arranged accord-
kristallen (Substraten) geordnet und getrennt ing to the substrate crystal and separately num-
durchnumeriert. Diese Nummern sind im Sub- bered. These numbers are used in the index of
stanzenverzeichnis, Kapitel 7, zusammen mit den substances, chapter 7, together with the numbers
Kapitelnummern bcnutzt; siehe such S. 162. of the chapters, see also page 162.
Zur Kennzeichnung der anorganischen Kristalle To identify inorganic crystals the mineral name
ist auSer der chcmischcn Formel der Mineralname or for compounds without mineral name the sym-
oder, fur Verbindungen ohne hlineralnamen, das metry symbol is given in addition to the chemical
Symmetricsymbol aufgefiihrt. Die Anordnung der formula. The arrangement of the inorganic com-
anorganischen Verbindungen ‘folgt dem pcrio- pounds follows the periodic system.
dischen System.
Die organischen Verbindungen sind nach der The organic compounds are arranged according
Bruttoformel mit steigenden C- und H-Zahlen ge- to their gross formula with increasing C and H num-
ordnet. Jede Verbindung ist durch die Formel und bers. Each compound is specified by its formula and
mindestens einen Namen gekennzcichnet. Der erste at least one name. The first name is the one taken
Name ist der Originalarbeit entnommen, der zweite from the original paper; the second one gives, if
gibt, wcnn niitig, den gcbrauchlichcren systema- necessary, the more usual systematical or common
tischcn oder den Vulgarnamen an. name.
Die Angabe der Venvachsungsebcnen und der As far as possible the epitaxial planes and the
korrespondierenden Gitterrichtungen folgt soweit corresponding lattice parameters are given in
wie meglich den zitierten Autoren. Bei rhombo- accord with the cited original paper. Thus in the
edrischen Kristallen werden daher hexagonale case of rhombohedral crystals both hexagonal
(hkil) [uvw] und rhomboedrische (hkl) [uvw] (hkil) [UVW] and rhombohedral (hkl) [uvw] indices
Indizcs nebeneinander venvandt. Venvachsungen, are used. Epitaxies which are identical according
die in bezug auf die Symmetrie identisch sind, to symmetry are combined and one of the equi-
werden zusammengefaW, wobei eine der equi- valent notations is chosen; e.g. for Ag on NaCl
valenten Bezeichnungcn ausgewahlt wird : z. B. (No. 2-685) the notations (100), (010), (001) and
sind bei Ag auf NaCl (Nr. 2-685) die Angaben [OOI], [OIO], [IOO] as well as (TOO), (OiO), (OOi) and
(loo), (010). (001) und [oo~], [OIO], [IOO] sowie [ooi], [oio], [LOO] are listed as (001) and [IOO].
(ioo), (oio), (ooi) und [ooi], [oio]. [ioo] unter
(001) und [100] zusammcngefa0t.
Die angcgebcnen Wirt- und Gast-Verwach- The given host (substrate) and guest (deposit)
sungspcrioden entsprechcn einander im allge- intergrowth-periods do not necessarily correspond
meinen nicht unmittclbar, sondern polymeranalog; directly, but are rational multiples of one another.
d. h. einc Elemcntarperiode des Trggers oder This is analogous to polymer substances.
Gastes ist im allgemcinen erst eincm kleinen ganz-
zahligen Vielfachen der epitaktisch vcnvachscnen
Partncrperiodc analog.
Gebhardt lNeuhaus
1 Introduction -3
1.4 Erlkterungen - Explanations
Abweichung: prozentualer Unterschied der Misfit: percentage difference of the correspond,
korrespondierenden Strukturperioden bezogen auf ing structure periods in relation to the substrate.
den Wirt.
Nadelachse: Bezeichnung fiir die gri%te Di- Nadelachse = needle axis: notation for tht
mension der Gastkristallite. Diese Orientierungs- largest dimension of the deposit crystallites. Thir
bezeichnung wurde nur dann angegeben, wenn von notation is only given if no ‘information on crysta
dieser Substanz in der Literatur keine Kristall- structure of the compound could be found in the
strukturdaten gefunden werden konnten. literature.
*: die Gitterparameter des Gast- und/oder * : the lattice parameters of this deposit and/o]
Wirtkristalls fehlen in der Originalarbeit; die an- substrate crystal are not available in the literature
gegebenen Perioden wurden von den Autoren the. listed periods are deduced by the present
dieser Tabelle aus kristallchemischen Analogie- authors on the basis of crystal-chemical analogies
beziehungen erschlossen.
**: fiir eine eindeutige Bestimmung der rela- **: for a definite determination of this sub.
tiven Orientierung sind die Angaben in der Original- strate-deposit-orientation the data in literature art
arbeit zu diirftig; die angegebene Verwachsung inadequate; the listed epitaxy is deduced by tht
wurde von den Autoren dieser Tabelle aus Kristall- present authors from crystal structure data.
strukturdaten erschlossen.
1.5 Literatur zur Einleitung - References for the introduciion
1 Wilke, K.-Th. : Methoden der Kristallziichtung; HI Deutsch, Frankfurt 1963.
i Johnstone, Mary C. (Editor) : Conference on clean surfaces with supplement: Surface pheriomem
‘in semiconductors (symposium) ; Annals of the New York Academy of Sciences, Volume 101
Art. 3, Pages 583-1014, 1963.
3 Francombe, M. H., and H. Sato (Editors) : SingleCrystal Films; Proceedings of an Internationa
Conference held at Philco Scientific Laboratory, Blue Bell, Pennsylvania, May I 963 ; Oxford
London, Edinburgh, New York, Paris, Frankfurt : Pergamon Press I 964.
4. Bethge, H., W. Kleber, und A. Neuhaus: Physik und Chemie der Kristalloberflache; Vortrags,
tagung vom 8. bis I I. Oktober 1966 in Halle (Saale) ; Nova Acta Leoppldina, Supplementun
Nr. I, Band 34; Leipzig: Johann Ambrosius Barth 1968.
5 Drauglis, E., R. D. Gretz and R. I. Jaffee (Editors): Molecular Processes on Solid Surfaces
Battelle Institute Materials Science Colloquia, Kronberg, May 6- 11, 1968; New York
San Francisco, Toronto, London, Sydney : McGraw-Hill Book Company I 969.
6 Kaldis, E., and M. Schieber (Editors): Crystal Growth and Epitaxy from the Vapour Phase
Proceedings of the first International Conference on Crystal Growth’ and Epitaxy from tht
Vapour Phase, Zurich, 23. -26. September 1970; Journal of Crystal Growth, Volume 5
(I 971) ; Amsterdam: North-Holland Publishing Company 1971:
7 Hartmann, P. (Editor) : Crystal Growth. An Introduction. Amsterdam : North-Holland Publish.
! .:
ing Company 1972.
8 Neuhaus, A. : Fortschr. Mineral. 29/30 (1950/51) 136.
9 Schneider, H. G., and V. Ruth (Editors) : Advances in Epitaxy and Endotaxy; Leipzig: VEE
Deutscher Verlag fiir Grundstoffindustrie I 971.
.I
.
Gebhardt /Neuhaus .
2 Epitaxien anorganischer Gastkristalle auf anorganischen Wirtkristallen -
Epitaxies of inorganic deposit crystals on inorganic substrate crystals
Phasen Ebenen Richtungen Perioden [A] Rb-
‘r. weichung Lit.
Wirt Gast Wi* Gast Wirt Gast Wirt Gast %
2.1 Elemente und Legierungen - Elements and alloys
2.1.1 Elemente - Elements
1 Cu, kubisch fl&chenzentriert Ag, kubisch fl$ichenzentriert (110) (111) i3fll 2855 2.85 12.9 36 COG
2 (001) (001) [1001 y; 3,61 4.0s 13.0 51 Kim; 50 Neu I
3 (loo) (iii) [oii] [Ii01 2355 2,ss 12,9 63 Ble; 51 Kim
4 (110) (110) ;%; WI 3861 4.05 13/J 63 Ble; 51 Kim
5 (111) (111) [i To] 2955 2,ss 12,9 56 Haa 2; 51 Kim:
49 Mer
6 Cu Au, kubisch flichenzentriert (110) (110) [Et; roo11 3,62 4,07 12,4 54 Wil2; 49 Mer
i (001) (001) [1001 3,62 4,07 12,4 50 Neu 1
(iii) (iii) [Iio] [iio] 2,57 2,ss 12,l 59 Laf 2; 56 Haa 2;
54 Wil2
9 CU Cd, hexagonal dichteste (iii) (0001) [iio] [II .O] 2857 2.97 IS,6 49 Mer
Kugelpackung
10 cu Co, kubisch fl?ichenzentriert (001) (001) II1001 y; 3,61 3,54 -I,9 54 Ro-v; 36 COG
II (110) (110) WI 3,61 3,54 -189 50 Neu 1
12 (111) I:::; [iio] wo11 5,lO 3.54 - 30,6 49 Mer
13 cu Cr, kubisch raumzentriert [lie] WI 2,55 2.5s 1,2,9 49 Mer; 36 Cot
14 ;::A; (211) [iio] [ill] 5312 4,99 -2,s 59 Red
15 (100) (110) roll1 Pi;; 5.12 4.99 -2.5 59 Red
16 (111) (110) y;; 5,12 4,99 -2,s 59 Red
17 cu a-Fe, kubisch raumzentriert (III) (110) [lie] 2,57 2903 -21 ,o 49 Mer
IS (iii) (ioi) [izi] [loi] 4,44 4,06 -S,6 51 Kim
19 (110) (211) [iio] [ill] 2,57 2,49 -3.1 63 Red; 59 Red
20 (iii) (110) [ioi] [loo] 2957 2,S7 If,7 5G Haa 2; 51 Kim
21 (100) (ilo) [oil] [till 2,57 2149 -331 59 Red
22 (111) (110) [I iol r[:;;; 2,57 2,49 -3,l 59 Red
23 cu Ni, kubisch flachenzentriert (111) (Ill) [I To] 2,55 2,49 -2,4 51 Kim; 49 Mer
24 (001) (001) [IO01 [IO01 3,61 3,52 -2,s 54 Roy; 51 Kim;
36 Cot
25 (110) (110) [OOI] [OOI] 3,61 3,52 -2,s 51 Kim: 50 Neu 1
Phases Planes Directions Periods [A]
Misfit
No. Sub- De- Sub- De- Sub- De- Ref.
Substrate Deposit
strate posit strate posit strate posit %
26 Cu, kubisch flachen- Pb, kubisch flachenzentriert (111) (111) [IIO] [ITO] a55 3,50 37,3 51 Kim
27 zentriert (001) (001) [IO01 [IO01 3,61 4,95 37,l 51 Kim
28 3,61 4,95 37,1 51 Kim
1;;;; 1;;;; ;y;;; p;;
29 CU Pd, kubisch flachenzentriert 5,12 5,50 7,4 56 Haa 2
30 cu Te, D~yP3,21 (111) (0001) [ITO] [10.0] 5,12 4.46 -12,9 68 And
31 cu Zn, hexagonal dichteste (111) (0001) [ITO] [IT.01 2,57 2,66 3,s 49 Mer
32 Kugelpackung (111) (Olll) [IIO] [lO*O] 2,57 2,66 3,5 56 Haa 2
33 cu (Au, Cu), kubisch flachen- (001) (001) [loo] [loo] 3.62 3,85 64 51 Kina
34 zentriert (110) (110) [OOI] [OOI] 3.62 3,85 64 51 Kim
.35 cu Cu,Sn, kubisch flachen- (111) (100) [IIO] [OIO] 5,12 4,74 y-7,4 51 Kim
36 zentriert (f11) (001) [I TO] [1001 5,12 5,49 772 51 Kim
37 cu CuZn,, kubisch raumzentriert (111) (101) [I TO] [1001 5,12 562 9,s 51 Kim
38 (111) (001) [I TO] [IO01 5,12 5,62 9,s 51 Kim
39 cu AuCl, orthorhombisch (100) (ill) [OOI] [ITO] 3,62 3,63 0,3 54 Wil2
40 cu AgCl, Chlorargyrit (110) (110) [Ill] [I121 6,25 6,80 8,s 63 Ble
41 cu CuBr, Ti--Fi3m (111) (111) [lTO] [TIZ]. 7,71 695 -9,9 41 Usm
42 (111) (111) [ITO] [ITO] 7971 8,05 4,4 49 Mer
43 cu CuCI, Ti-Fqgm
(001) (001) [I101 [IO01 5,12 5,42 599 49 Mer
44 cu NaCl, Halit (111) (111) [I101 [I101 2755 3,00 1796 51 Joh; 50 Joh 4
45 (100) (100) [loo] [IIO] 3,61 3,00 -1699 51 Joh
46 Cu Cu J, Marshit
(111) (111) [I TO] [rlz] IS,42 14,85 -3,7 41Usm
47 . (001) (001) [I 001 [I101 3,61 4,28 18,6 50 vu1
48 (001) (111) [Ii01 [II21 15,42 14,85 -3.7 49 Mer
49 cu Cu,O, Cuprit (001) (001) [loo] [loo] 3,62 4127 18,O 66 Men: 64 Bro;
64 Mey; 62 Ben;
59Sco;58 Tre:
55 Dix; 50 Vul:
50 Leu; 49 Mer;
47 Shi; 3G Bru;
30Spa
50 (001) (111) [110] [ilO] 2,57 3,02 f7,5 66 Men; 64 Bro;
63 Yod: 62 Ben;
62 Cat; 59 Bou;
59 Law: 54 Wil2;
50 Vul; 48 Men;
47 Shi; 3G Ela;
30 Spa; 03 Mue
51 (001) (332) [I101 [ilO] 2,57 3,02 f7,5 47 Shi
52 (113) (110) [3321 [OOII 4,24 4,27 097 57 Men; 49 Men
I- Phasen Ebenen Richtungen Perioden [A] Ab-
Ir. weichung Lit.
Wirt Gast Wirt Gast Wirt Wirt Gast
%
53 Cu. kubisch flichen- Cu,O, Cuprit [iio] [I iol 2.57 3.02 17.5 57 Pig
zcntriert (Fortseteung)
54 [I io] [i io] 2,57 3,02 17,5 66 Men; 62 Ben;
62 Cut; 60 Bou:
59 Bou; 59 Law:
58 Tre: 57 Men:
56 Dix; 50 Leu:
50 Vul; 46 Ben:
41 Usm: 37 Thi;
30 S+a
(114) [i io] [i To] 2,57 3.02 17,5 57 Men: 54 Gos;
49 Men
56 (111) [1*x [~I~1 4,44 5,23 17,s 66 Neu: 41 Usm
57 (221) [II01 [ilo] 2,57 3,02 17,5 47 Ben
5s (011) [i io] [i io] 2,57 3,02 17,5 59 Law: 50 Neu 1;
46 Ben
(014 [I211 [I211 4,44 5,23 17,s 59 Law: 56 Gos;
54 Gos
60 (110) [i io] [i To] 2,57 3902 17,5 62 Cat; 59 Law:
56 Dix; 50 Leu:
46 Ben: 37 Thi
61 (110) [I io] [I io] 2957 3,02 17.5 62 Cat: 59 Bou;
59 Law; 50 Neu I
62 [IO01 [IO01 3362 4.27 18,o 66 Neu; 62 Ben
63 [IIZ] [ii21 4,44 5,23, 17,s 66 Neu
64 [I io] [i io] 2857 3,02 1785 66 Neu; 62 Ben
65 [ml 4,24 4.27 0,7 66 Net4
66 [II01 ;::1; 5812 5,23 2,1 66 Neu
67 [1001 [IIZ] IO,56 IO,46 -3,7 38 Moo: 37 Thi
68 cu PbO,, Plattnerit [i io] 7,6S 6.80 -II,5 51 Kim
69 [E::; 3,62 3,40 -6,1 51 Kim
70 cu CuO, Tenorit [%; [OO~I 5,12 5,ll --ci,z 66 Neu: 55 Dix;
49 Hon
71 (01~) [i 1i ]
FE?;; 625 6,16 -1,4 55 Dix
72 (010) [1001 7,24 7,84 8,3 49 Hon
73 (100) [IO01 WOI 7924 7,46 3,O 47 Shi
74 (Ill) [II01 [ioi] 7971 7.54 187 47 Shi
75 [1001 [OIOI 7,24 7,46 390 47 Shi
76 ;:::; [I101 [ioi] 7.71 7,84 I,7 47 Shi
77 (110) PO11 r1101 3,61 3,07 -15,O 66 Neu
Phases Planes Directions Periods [A]
Misfit
No,. Substrate Deposit Sub- De- Sub- ‘De- Sub- De- o/ Ref.
/D
strate posit strate posit &rate posit
78 Cu, kubisch flachen- CuO, Tenorit (001) (010) [loo] [iOl] 3,61 3,72 3,o 66 Neu
79 zentriert (Fortsetzung) (091) (010) [OIO] [IOI] 3,61 3,15 -l&7 66 Neu
80 cu CuS, Covellin (110) (1120) [III] [12.0] 3,13 3,29 5,1 59 Tre; 41 Usm
81 cu Cu,S, Chalkosin (110) (110) [Ii01 [OOI] 13,85 13,44 -3,o 66 Neu; G2 Ben
82 (110) (010) [OOI] [loo] lo,86 II,92 9,s 59 Tre
83 (110) (010) PO11 ;y; 14,48 13,44 -77,2 59 Tre
84 (111) (111) [I IO] IS,42 14,90 -3,4 49Mer
85 (110) (110) [I TO] PO11 5,lO 4,34 --14,9 41 Usm
86 yi (010) WI iI lo,86 II,88 9,4 59 Tre
87 cu Cu.& ‘kubisch (111) [I TO] [I 1 Z] IO,20 IO,62 4,1 62 Ben
88 cu C&S,, Digenit (110) (110) [I 1 Z] PO?1 4,44 4734 -293 59 Tre
89 cu Zn,[POJ,.4H,O, Hopeit (001) (010) [IIO] [OOI] 5,lO 5,03 -I,4 67 Geb 2
90 (100) (010) [Oll] [100] IO,20 IO,64 4,3 68 Neu I, 2; 64 Geb
91 (100) (010) [0111 iwl 5,10 5,03 -I,4 67Geb 2
92 Cu (Mn,W,J&Wd,-4 J&O, (001) (100) [loo] [OOI] IO,20 9,51 -6,8 67 Geb 2
Hureaulith
93 cu Zn,Ca[POJ, .2 H,O, Scholzit (001) (100) [loo] [OOI] 722 6,61 -8,4 67 Geb 2
94 (100) (100) [OOII PO11 722 6,61 --8,4 66 Neu
:95 cu AuCN, Dih -P6/mmm (100) (1121) [IIO] [II.01 IO,28 IO,20 -0,8 54 Wil2
96 Ag, kubisch fllchen- Au, kubisch flachen- (001) (001) [fool [1001 4,os 4,07 -0.2 61 Shi; 49 Mer;
zentriert zentriert 3G Bru
97 y; iw [If01 [I101 2,88 2,87 -0,3 69 Sch; 69 Sha 2
98 Ag Co, kubisch flachenzentriert (111) [I IO] [I IO] 2,89 3,04 5,2 69 Gru 2
99 Ag Cu, kubisch flachenzentriert (001) (001) [I 001 II10 01 4,08 3,61 -II,5 61 Shi
100 (111) (111) [If01 [Ii01
2889 2,57 -II,1 69Gru'Z
‘01 Ag Ni, kubisch flachenzentriert (111) (11.1)’ [I101 [JIO] Z89 3,58 2379 69Gru 2
102 (001) (001) [lop] [loo] 4,08
3,53 -13,s 61 Shi
103 Ag Pb, kubisch flachenzentriert (111) (111) [IIO] [IIO] Z89 3,50 21,l 57 New
104 (001) (111) [II01 [I101 2,89
3,50 21,l 61 Shi
105 Ag Pd, kubisch flachenzentriert (001) (001) [loo] [loo] 4,os 3,89 -4,7 61 Shi
106 Ag Sn, D$ - 14Jamd (111) (100) [Ii01 [OlO] 5,77
5m 0,9 57 New
107 Ag Th, kubisch flachenzentriert (111) (001) [*IO] [loo] 5,77 5,07 -12,l 57 New
108 Ag Ag,Al, kubisch raumzentriert (001) (001) [IIO] [loo] 2,89 325 12,5 61 Shi
109
& Ag,Al, hexagonal dichteste (111) (0001) [I101 [IO.01 Z89 2,87 --0,7 61Shi
Rugelpackung ,_
.,
116 .. ig AgBr, Bromargyrit (111) (111) [ITO] [ITO] 2,88
2,89 013 62 Ben; 51 Pas:
50 Pas; 42 Sch 1
Phasen Ebenen Richtungen Perioden [A] Ab-
Nr. weichung Lit.
Wirt Gast Wirt Gast Wirt Gast Wirt Gast
%
111 Ag, kubisch flichen- AgBr, Bromargyrit (001) (001) [loo] [IIO] 4,0s 4,09 02 66 Neu; 62 Ben:
zentriert (Fortsetzung) 51 Pas: 50 Neu 1:
50 Ber f
112 (100) (211) [oio] [oli] 4,0s 4909 02 51 Pas
113 (loo) (iii) [oio] [oli] 4,08 4,09 02 51 Pas: 49 Mer;
40 Wil2
114 (110) (110) [lie] [ool] 5977 5,75 02 66 Neu; 51 Pas:
50 Ber 1
115 (100) (110) [OOI] [OOI] 4.08 2,89 -29.2 42 Sch f
116 (110) (110) WI [I To] 4,0s 4.09 02 66 Neu
117 Ag AgCI, Chlorargyrit (Iii) (ill) [lie] [iio] S,64 7,86 -9,o 62 Ben; 5f Pas;
50 Pas; 42 ScA 1
11s (001) (001) [loo] [IIO] 4,os 3393 -3,7 66 Neu; 62 Ben:
51 Job: 51 Pas:
49 Mer: 40 WiL 2
119 (110) iiio) [iio] [ooi] 5877 5.56 -386 51 Pas
120 y; y; wo11 [0011 4,og Se56 36,3 42 Sch f
121 [1001 [f101 4,os 3,93 -3.7 49 Mer; 40 Wil2
122 Ag CsBr, 0: - Pm3m (100) (100) [loo] [loo] 4,OY 4.29 5.1 52 Sch 2
123 (iii) (iii) [ilo] [liZI 11,52 IO,50 --5,9 52 Sch 2
124 Ag CsCI, OA- Pm3m (100) (100) [loo] [loo] 4,0s 4,11 0,7 52 Sch 2; 50 Neu 1;
49 Mer: 31 Sb
i25 (iii) (111) [ilo] [ilZ] 11,54 10.10 -12.5 52 Sch 2
126 Ag fl-Ag J, Jodargyrit (III) (0001) [i io] [li -01 5.66 9.1s 60 51 Pas
127 (001) (0001) [loo] [IO-O] 4.05 4.59 12,5 40 Wil2
128 Ag K J, Oi-Fm3m (iii) (iii) [iio] [lrZ!] 16,62 17.29 480 52 Sch 2
129 & LiF, O%-Fm3m (III) (III) [I101 [I101 2,ss 2,70 -6.3 52 Sch 2
130 Ag a-Ag J, Miersit (III) (111) [2ii] [i io] IO,00 9,f7 -8.3 57 Pas
131 _ (iii) (iii) [lie] [iio] 5,64 9.17 61 51 Pas
132 (001) (001) [IIO] [loo] 5.77 6,49 12,5 49 Mer; 40 Wi12
133 (001) (Ill) [loo] [IIO] S,16 9.17 12.4 40 Wil2
134 (001) [If01 [I101 5.77 4.55 172 66 Neu
135 Ag NaBr, Ok-Fm3m ;::A; r1001 [I101 4,0s 4,24 3,9 52 Sch 2
136 (100) ;:;;; [1001 [I101 4,0s 4,24 3,9 52 Sch 2
137 (iii) (iii) [ilo] [lrz] S,66 7,32 -15.5 52 Sch 2
13s Ag NaCl, Halit (III) (111) [IIO] [IIO] 2,S9 3,03 4,s 51 Bru I; 51 Joh;
50 Neu 1; 50 Joh 4
139 (110) (110) [lio] [1 io] Zg9 3803 4,s 51 Bru 1
140 (iii) (Iii) [ilo] [iit!] 11,52 10.00 -13.2 52 Sch 2; 51 Wat;
50 Job 4
No. Phases I SubP- lanes De- SDubir-e ctionsD e- SPueb-r iods [DAel- 1 ~l”lDdl .‘-+I, .C 1 Ref.
Substrate Deposit
I strate I posit I strate posit strate posit %
Ag, kubisch flachenzentriert NaCl, Halit (100) (III) [I 001 [I TO] 4,08 3398 -2,s 52 Sch 2; 50 Neu I;
(Fortsetzung) 49 Mer; 36 Bru
142 (100) (100) [1001 [1101 4,08 3,98 -2,s 61 Gil; 52 Sch 2;
51 Joh; 50 Neu 1;
50 Joh 4; 49 Mer;.
36 Bm
(001) (111) PI 01 [l.12] 4,08 3,46 -15,i 5ONeu I
Ag (001) (001) [1001 [IO01 4,08 4,05 -0,7 50 Neu I; 49 Mer;
31Slo
145 & a-NH&l, Salmiak [1001 [IO01 4,08 3,87 -5,1 49 Mer
146 & RbBr, Ot-Fm3m g:; [:I; [1001 [I101 4,08 4,86 19,l 52 Sch 2; 51 Sch 3
147 Ag RbBr, Oi- Pm3m [1001 [IO01 4,08 4,06 -0,s 51 Sch 3
148 & KCl, Sylvin ;z:; [E; [ilO] [I 1 Z] 8,66 7,72 -IO,9 52 Sch 2; 51 Joh
149 (100) (111) [fool [I101 4,08 4,46 933 52 Sch 2
150 (100) (100) r1001 [I 101 4,08 4,46 9,3 52 Sch 2
151 Ag Ag,O, O;-Fd3c (113) (110) ma [OOII 4967 4,75 1,7 58 Men
152 (III) (III) [I TO] [I IO] 2,88 3936 16,7 58 Men
153 (110) (110) [I TO] [I TO] 2,88 3736 , 1617 66 Neu
154 (001) (001) [IO01 Ii1001 4,08 4*75 16,4 49 Mer
155 Ag Ag,S, Akanthit (III) (010) [OTI] DO11 8,64 8,40 -2,8 69 Sch; 63 Sch;
48 Miw
156 (001) [Oil] ro101 5,77 6,92 19,9 48 Miw
157 ;:::/ (III) [OrI] [I 341 11152 11,57 0,4 48 Miw
158 (001) (100) [IO01 roo11 4,08 4,89 19,9 48 M&J
159 (010) (100) [1001 [OOII 4,08 4,89 19,9 48 Miw
160 (001) (001) [IO01 [I101 4,08 3,47 -15,O GG Neu; 41 Usm
161 4 CdS, Greenockit (111) (0001) [I iO] [IO.01 8,64 8,26 -4,4 G7 Mag 2
162 (112) (IIZO) [I iO] [OO* I] 5,76 6,69 16,1 67 Mag 2
163 Ag AgAs, C~i-RJ (111) (0001) [II01 [II .O] 2,89 2,89 0 48 Miw
164 Ag Ag,Sb, Dyskrasit (III) (100) [I TO] wo11 2289 2,98 3,l 29Gm
165 Au, kubisch flschenzentriert Ag, kubisch flachenzentriert (111) (III) [I iO] [I IO] 2,87 2,88 0,3 49 Mer
166 (001) [IO01 [1001 4,07 4,08 02 36 Bm
1678 Au Co, .k ubisch flachenzentrieit ;(:I:IAI) ; (100) [I0 1T0O1] [WI TOOI ] 45,0776 35,5O4l --1133,O,O 49 Mer ; 36 Fin
169 Au Cu, kubisch flachenzentriert (III) [‘::I [I IO] [I TO] 2,88 2,50 -13,2 49 Mer
170 (iO1) [IO01 r1001 4,07 3,61 -11,3 54Oga
171 Au Fe, kubisch raumzentriert ;E; (100) w101 2,88 2,86 -0,7 49 Mer
172 (III) [%t; [OOII 2,88 2,86 -0,7 49 Mer
173 (110) \:A:; roo11 Km / 4,07 2,86 -29,7 49 Mer; 3G Fin
Phasen Ebenen Richtungen Perioden rLi] hb-
Nr. weichung Lit.
Wirt Gast Wirt Gast Wirt Gast Wirt Gast
%
174 Au, kubisch fhichenzentrier Ni, kubisch flichenzentriert roll1 ro101 2,ss 3.52 22,2 49 Mev
175 [i io] ro101 2,88 3,52 22,2 49 Mer
176 [I iO] P011 2,88 3,52 22,2 36 Fin
177 Au Pt,‘kubisch fllchenzentriert [i To] [i io] 2,88 2978 -3,s 49 Mer
178 AU (Au, Cu), kubisch flachen- LO1I 1 Pl~l 5,76 5,45 - 54 52 Oga: 50 Vu1
zentriert
179 AU NaCl, Halit (100) (100) 5876 6,16 69 51 Joh
150 (IIf) (IfI) ;:tij ;x; 5,76 6.16 6.9 51 Joh
181 AU NiO, Bunsenit (100) (100) P101 WOI 4,0s 4.18 2,s 64 Fva 2
182 AU BaTiO,, D$, - P4/mmm (100) (100) roof1 roo11 4.07 3,95 -2.2 63 Mue
183 Be, hexagonal dichteste BeO, Bromellit (IOiO) (loi3) [21 *O] [lO.O] 7.84 8,10 3,3 59 SC0
Kugelpackung
184 (IIZO) (loi3) [21 -01 [IO-O] 7,84 8.10 3,3 59 SC0
,185 (0001) (foii) [lO*O] [10.0-J 2,27 2,70 18,9 56 Key
186 (0001) (0001) [IO-O] [IO.01 2827 2.70 1X,9 62 Ben: 59 Sco;
56 Key
Mg, hexagonal dichteste Mg,Pb, kubisch fllchen- (1 iO0)
(110) ww [I io] 520 4.78 --s,1 53 Nag
Kugelpackung zentriert
Mg MgO, Periklas (0001) (IIf) [lO*O] [I io] 3,20 2,97 -77,2 66 Geb 2; 66 Neu:
50 Neu I; 50 Cou;
49 Mer
189 Mg Mg(OH),, Brucit (0001) (0001) [lO.O] [IO-O] 3,20 3913 -2,2 66 Geb 2; 66 New
190 Ba, kubisch raumzentriert BaO, O{-Fmjm (00~) (001) ro101 f4,25 1659 16,4 62 Ben
191 (111) (110) ;: ii; row 14925 1659 16.4 36 BUY
192 Zn, hexagonal dichteste ZnO, Zinkit (loio) (ioio) [00-l] [OO.i] 4,94 5318 499 66 Geb 2; 52 Luc;
Kugelpackung 48 Hub
193 (ioii) [21 - 21 [21 * 21 14,20 i0,80 -23,9 52 LUG
I;:;;/
194 (ioii) [21 * 21 pi.21 14,20 IO,80 -23.9 52 Luc
195 (ioii) (0001) [21 * 21 [ii.01 3855 3324 -8,7 52 Luc
196 (0001) (ioio) [IO-O] [Ol.O] 2,66 3,24 21,s 50Rae 1
197 (IOil) (0001) [Of -01 [lO*O] 2,66 3924 21.8 66 hreu
198 (0001) (0001) [lO*O] [IO.01 2,66 3324 21,8 66 Neu; 68 Geb 3:
64 Mey; 62 Ben:
59 Sco; 53 Ehl;
52 Eht; 52 LUG;
51 Joh;
51 LUG: 50 Rae 1:
50 Yan: 49 Mev:
48 Ach; 48 Hub:
33 Fin I
